반응형 IGBT2 파워 MOSFET과 IGBT의 차이와 응용 파워 MOSFET과 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)는 고전압·고전류를 제어하는 대표적인 전력 소자입니다. 두 소자는 모두 스위칭과 전력 변환에 사용되지만, 구조와 특성이 다르기 때문에 응용 분야에서 차이가 납니다. 이번 글에서는 파워 MOSFET과 IGBT의 차이점과 활용 사례를 비교해 보겠습니다.파워 MOSFET이란?MOSFET은 전계 효과 트랜지스터의 일종으로, 게이트 전압으로 드레인-소스 전류를 제어합니다. 파워 MOSFET은 고전류·고전압을 처리할 수 있도록 강화된 구조를 가지고 있습니다.특징: 빠른 스위칭 속도, 낮은 전력 손실장점: 고주파 동작에 유리, 효율적 전력 제어단점: 고전압에서 손실이 커질 수 있음활용: SMPS, DC-DC 컨버터, 모터 제어,.. 2025. 9. 4. 트랜지스터의 종류별 비교 (BJT vs MOSFET vs IGBT) 트랜지스터(Transistor)는 전자 회로의 핵심 능동소자이며, 증폭과 스위칭 기능을 수행합니다. 트랜지스터는 종류에 따라 BJT, MOSFET, IGBT로 나눌 수 있으며, 각각 구조와 특징, 응용 분야가 다릅니다. 이번 글에서는 세 가지 트랜지스터를 비교해 보겠습니다.1. BJT (Bipolar Junction Transistor)BJT는 가장 기본적인 트랜지스터로, 전류 제어형 소자입니다. 베이스(Base)에 소량의 전류를 흘려주면 컬렉터(Collector)와 에미터(Emitter) 사이에 큰 전류가 흐릅니다.구조: NPN 또는 PNP 형태의 PN 접합 2개특징: 선형성이 좋아 아날로그 신호 증폭에 적합장점: 간단한 구조, 저렴한 가격, 빠른 반응 속도단점: 전력 효율 낮음, 베이스 전류 필요활용.. 2025. 9. 1. 이전 1 다음 반응형